一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构气敏材料的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210576004.5
IPC分类号：C23C16/40;C25F3/12;C01G41/02;B82Y30/00
申请日期：
2012-12-26
申请人：
天津大学

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专利名称	一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构气敏材料的制备方法
申请号	CN201210576004.5	申请日期	2012-12-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-04-17	公开/公告号	CN103046021A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/22 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕 C23C16/30 沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物〔4〕 C23C16/40 氧化物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;2;5;F;3;/;1;2;;;C;0;1;G;4;1;/;0;2;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	胡明;曾鹏;马双云;闫文君;李明达
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	张宏祥

摘要

本发明公开了一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构气敏材料的制备方法：首先采用单面抛光的p型单晶硅基片为硅基片衬底，超声清洗；再采用双槽电化学腐蚀法在清洗过的硅基片表面制备多孔硅层，腐蚀电解液由40%的氢氟酸与二甲基甲酰胺组成；再将高纯度钨粉置于水平管式炉中央，并将多孔硅置于管式炉出气口方向、距钨粉12~16cm处，真空条件下，通入氩氧混合气体，于950~1200℃，制得多孔硅基氧化钨纳米线复合结构气敏材料。本发明的制备方法简单，工艺参数易于控制，成本低廉，具有重要的应用价值和研究意义。

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