膜除去装置、膜除去方法和基板处理系统

发明专利无效专利

申请号：
CN02820803.X
IPC分类号：H01L21/027;B05C5/00;B05C11/10;B05D3/00
申请日期：
2002-12-17
申请人：
东京毅力科创株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	膜除去装置、膜除去方法和基板处理系统
申请号	CN02820803.X	申请日期	2002-12-17
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2005-01-26	公开/公告号	CN1572015
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;B;0;5;C;5;/;0;0;;;B;0;5;C;1;1;/;1;0;;;B;0;5;D;3;/;0;0查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	寺田正一;吉高直人;饱本正巳
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	龙淳

摘要

本发明提供一种膜除去装置，它包括：基板保持部(60)，保持具有涂布膜的基板；激光光源(63)，将激光局部照射到该基板保持部上的基板的定位记号位置(14)上，将涂布膜从基板部分剥离；流体供给机构(113-116，201，202)，具有向定位记号位置供给规定流体的主喷嘴(64，172，200)；回收机构(90)，具有在基板上将供给到定位记号位置的规定流体连同剥离了的膜成分吸引的吸引口(66a，171，193)；和引导部件(65，170，191)，将主喷嘴所喷出的规定流体引导到定位记号位置，同时引导到回收机构的吸引口使得规定的流体以及剥离了的膜成分不扩散到定位记号位置周围，并且不泄漏。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供