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用于辐射计量的光释光剂量元件及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910029721.4
  • IPC分类号:H01L27/15;H01L31/105
  • 申请日期:
    2009-04-03
  • 申请人:
    苏州纳米技术与纳米仿生研究所
著录项信息
专利名称用于辐射计量的光释光剂量元件及其制备方法
申请号CN200910029721.4申请日期2009-04-03
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-09-16公开/公告号CN101533846
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/15IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;5查看分类表>
申请人苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所当前权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明人陆敏
代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司代理人陶海锋
摘要
本发明公开了一种用于辐射计量的光释光剂量元件及其制备方法,通过两次MOCVD外延(第一次外延:α-Al2O3:C的一侧生长GaN PIN;第二次外延:将GaN PIN/α-Al2O3:C作为新的衬底在α-Al2O3:C另一侧生长InGaN LED)将剂量探测器α-Al2O3:C和读出仪(GaN PIN光电二极管探测器和InGaN LED激发光源)集成在一起,因此,佩戴者随时可以知道所接受的剂量值,实现了现场检测和实时监测,提高了防护的及时性和安全性,同时监测的灵敏度将会更高,探测阈值更低,线性范围更大,而能耗却很低。

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