校准标准片的制备方法及用该标准片进行校准的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010197508.7
IPC分类号：G03F7/00;G03F9/00
申请日期：
2010-06-10
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	校准标准片的制备方法及用该标准片进行校准的方法
申请号	CN201010197508.7	申请日期	2010-06-10
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-12-14	公开/公告号	CN102279516A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;0;0;;;G;0;3;F;9;/;0;0查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	王雷
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种校准标准片的制备方法，所述校准标准片用于测量纳米级别尺寸的测量设备的校准，其特征在于，包括如下步骤：1)制备一块光刻掩膜版，所述光刻掩膜版的两个以上不同位置放置有相同的测试图形；2)采用不用的曝光条件，用所述光刻掩膜版在同一硅片的不同位置曝光，而后显影刻蚀，即为校准标准片。本发明通过对这一系列测量图形进行测量作为校准标准，可提高设备的测量精度。同时测量图形的差异是通过不同照明条件产生，在普通半导体工厂即可实现生产，降低了标准样片的成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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