加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种高致密度陶瓷基复合材料及其制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310449885.9
  • IPC分类号:C04B35/58;C04B35/622
  • 申请日期:
    2013-09-27
  • 申请人:
    大连理工大学
著录项信息
专利名称一种高致密度陶瓷基复合材料及其制备方法和应用
申请号CN201310449885.9申请日期2013-09-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-02-05公开/公告号CN103553626A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/58IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;8;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人大连理工大学申请人地址
辽宁省大连市高新技术产业园区凌工路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人大连理工大学当前权利人大连理工大学
发明人沙建军;李建;张兆甫;代吉祥;韦志强
代理机构大连智慧专利事务所代理人刘琦
摘要
本发明公开了一种高致密度陶瓷基复合材料及其制备方法和应用,二硼化锆-二硅化锆-碳化钨陶瓷基复合材料,是以二硼化锆粉末、二硅化锆和碳化钨为原料(纯度>98.0%),采用两步热压烧结工艺制备的。其中,二硼化锆粉末的质量份数为75~90%,在陶瓷基复合材料中加入较高含量的二硼化锆,有利于提升复合材料的物化性能;二硅化锆的质量份数为10~15%,将此质量份数的二硅化锆加入到陶瓷基复合材料中,能够明显降低材料制备的烧结温度;碳化钨的质量份数为0~10%,加入的碳化钨能够促进材料内部晶粒的各向异性增长。三种原始粉末的晶粒尺寸为1~5微米,此范围的晶粒尺寸有利于各相的均匀混合。本发明用作高超声速飞行器表面隔热层,具有高致密度、高力学性能的特点。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供