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一种高光效紫光LED芯片

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201921368492.4
  • IPC分类号:H01L33/44;H01L33/38
  • 申请日期:
    2019-08-20
  • 申请人:
    佛山市国星半导体技术有限公司
著录项信息
专利名称一种高光效紫光LED芯片
申请号CN201921368492.4申请日期2019-08-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/44IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;4;4;;;H;0;1;L;3;3;/;3;8查看分类表>
申请人佛山市国星半导体技术有限公司申请人地址
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人佛山市国星半导体技术有限公司当前权利人佛山市国星半导体技术有限公司
发明人仇美懿;庄家铭
代理机构广州三环专利商标代理有限公司代理人胡枫;李素兰
摘要
本实用新型公开了一种高光效紫光LED芯片,其包括衬底;设于衬底表面的外延层,所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层;设于所述第二半导体层的至少一层出光膜层;设于所述出光膜层上的透明导电层;设于所述第一半导体层的第一电极;和设于所述透明导电层的第二电极;其中,所述出光膜层为一透明层,其折射率为1.9~2.6;所述出光膜层设有孔道,所述透明导电层通过所述孔道与所述第二半导体层连接。本实用新型在紫光LED芯片的外延层与透明导电层之间设置了出光膜层,且出光膜层的折射率与GaN层相近,减少了紫光的反射,增加了紫光的透光率,提升了LED芯片的光效,采用本实用新型的LED芯片结构,紫光的透光率可达到90%以上。

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