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一种提高激光划刻透明导电氧化物薄膜绝缘性能的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210308502.1
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2012-08-28
  • 申请人:
    保定天威薄膜光伏有限公司
著录项信息
专利名称一种提高激光划刻透明导电氧化物薄膜绝缘性能的方法
申请号CN201210308502.1申请日期2012-08-28
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2012-12-12公开/公告号CN102820380A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人保定天威薄膜光伏有限公司申请人地址
河北省保定市国家高新技术产业开发区恒源西路888号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人保定天威薄膜光伏有限公司当前权利人保定天威薄膜光伏有限公司
发明人冯燕;贾海军;贺天太;潘清涛;刘佳;张丽;宋鑫;麦耀华
代理机构石家庄新世纪专利商标事务所有限公司代理人董金国
摘要
本发明涉及一种提高激光划刻透明导电氧化物薄膜绝缘性能的方法,属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明包括如下工艺步骤:(1)利用磁控溅射配合湿法刻蚀的技术制备绒面透明导电氧化物薄膜;(2)采用波长为355nm的激光器对绒面透明导电氧化物薄膜进行绝缘划线;(3)将经过激光划线的绒面透明导电氧化物薄膜进行退火处理,获得具有优良绝缘性能的激光划线。本方法与现有的薄膜太阳能电池的生产工艺兼容,采用薄膜太阳能电池生产线常用的355nm激光器可成功划刻氧化物薄膜,提升划刻质量,降低生产成本;激光划刻形貌好,绝缘性能符合生产工艺需求;工艺操作简单;本发明适用于硅基系列薄膜电池、碲化镉系列薄膜电池等。

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