半导体器件、半导体器件的制造方法、显示装置和电子设备

发明专利无效专利

申请号：
CN201010164659.2
IPC分类号：H01L51/05;H01L51/40;H01L27/28;G02F1/167;G09G3/32
申请日期：
2010-04-16
申请人：
索尼公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体器件、半导体器件的制造方法、显示装置和电子设备
申请号	CN201010164659.2	申请日期	2010-04-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-10-27	公开/公告号	CN101872841A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/05 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备（由在一个公共衬底中或其上形成的多个组件组成的器件入H01L 27/28；使用有机材料的热电器件入H01L 35/00，H01L 37/00；使用有机材料的压电、电致伸缩或磁致伸缩元件入H01L 41/00）〔6，8〕 H01L51/05 专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;0;5;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;8;;;G;0;2;F;1;/;1;6;7;;;G;0;9;G;3;/;3;2查看分类表>
申请人	索尼公司	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索尼公司	当前权利人	索尼公司
发明人	米屋伸英
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	柳春雷;南霆

摘要

本发明提供了半导体器件、半导体器件的制造方法、显示装置和电子设备。半导体器件包括：第一层配线，其包括被安装在衬底上的栅极电极；栅极绝缘膜，其具有将第一层配线的一部分暴露的开口，并覆盖包括栅极电极在内的衬底的整个表面；第二层配线，其包括被安装在栅极绝缘膜上的源极电极和漏极电极；绝缘分隔层，其具有第一开口和第二开口，第一开口将源极电极与漏极电极之间的边缘以及栅极绝缘膜的位于源极电极与漏极电极之间的部分暴露，第二开口与形成在栅极绝缘膜中的所述开口对准；以及有机半导体层，其跨着源极电极和漏极电极布置在形成在分隔层中的第一开口的底表面处。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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