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异硫氰基含氟四联苯类液晶化合物及其制备方法、液晶组合物及应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911058698.1
  • IPC分类号:C09K19/12;C09K19/42
  • 申请日期:
    2019-10-31
  • 申请人:
    武汉轻工大学
著录项信息
专利名称异硫氰基含氟四联苯类液晶化合物及其制备方法、液晶组合物及应用
申请号CN201911058698.1申请日期2019-10-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-02-11公开/公告号CN110776927A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09K19/12IPC分类号C;0;9;K;1;9;/;1;2;;;C;0;9;K;1;9;/;4;2查看分类表>
申请人武汉轻工大学申请人地址
湖北省武汉市东西湖区常青花园学府南路68号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉轻工大学当前权利人武汉轻工大学
发明人关金涛;李诗妍;洪磊;刘豪浩;王聪;张智勇;乔俊飞;陈红梅;蔡雄辉;丁佩佩;汪相如;余承勇;赵怿哲;高时汉;胡俊祥
代理机构深圳市世纪恒程知识产权代理事务所代理人晏波
摘要
本发明公开一种异硫氰基含氟四联苯类液晶化合物及其制备方法、液晶组合物及应用,异硫氰基含氟四联苯类液晶化合物的结构中同时具有四联苯结构、烷基取代基、F原子以及‑NCS等基团,四联苯结构使得所述液晶化合物具有光学各向异性大和的优点,烷基取代基能够降低液晶化合物的熔点,使得所述液晶化合物具有相对较低熔点的优势,F原子能增大液晶化合物的介电常数,‑NCS基团延长了四联苯π‑电子共轭体系的长度,能增大液晶化合物的光学各向异性,将该类液晶化合物应用到高介电各向异性液晶材料中时,由于这些基团的综合作用,有利于降低液晶微波器件的介电损耗,提高相位调制能力和提高液晶材料的品质因数。

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