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布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010046509.5
  • IPC分类号:G03F1/36;G03F1/84;G03F1/70
  • 申请日期:
    2020-01-16
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质
申请号CN202010046509.5申请日期2020-01-16
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-16公开/公告号CN113126421A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F1/36IPC分类号G;0;3;F;1;/;3;6;;;G;0;3;F;1;/;8;4;;;G;0;3;F;1;/;7;0查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
天津市西青区西青经济开发区兴华道19号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(天津)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(天津)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人杜杳隽;刘庆炜
代理机构上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人高静
摘要
一种布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质,矫正方法用于在确定掩膜基底后,实现光学邻近修正前的预矫正,包括:提供原始版图,包括与掩膜基底相对应的布局图形,并确定布局图形对应于掩膜基底上的位置作为第一初始位置,布局图形所在的区域为图形区,剩余区域为遮挡区;对掩膜基底进行检测,获取掩膜基底上的缺陷点并确定缺陷点在掩膜基底上的位置为第二初始位置;获取缺陷点的第一偏移矢量,第一偏移矢量适于使缺陷点由第二初始位置移动至任一遮挡区;计算第一偏移矢量的负矢量为第二偏移矢量;根据第二偏移矢量移动布局图形,使布局图形对应于掩膜基底上的位置由第一初始位置变更为优化后位置。本发明提高光刻图形的精度。

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