一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途

发明专利有效专利

申请号：
CN201310451286.0
IPC分类号：C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50
申请日期：
2013-09-27
申请人：
国家纳米科学中心

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著录项信息

专利名称	一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途
申请号	CN201310451286.0	申请日期	2013-09-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-01	公开/公告号	CN103484833A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/22 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕 C23C16/30 沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物〔4〕 C23C16/34 氮化物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;3;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0查看分类表>
申请人	国家纳米科学中心	申请人地址	北京市海淀区中关村北一条11号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国家纳米科学中心	当前权利人	国家纳米科学中心
发明人	宋志伟;褚卫国
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	巩克栋

摘要

本发明涉及一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途。所述超厚膜材料的厚度为28μm以上，膜应力低于100MPa。将处理好的衬底放入高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，抽真空后加热衬底，供给气源并增加功率，在一定气压下使腔体内混合气体产生等离子体，沉积到衬底表面。所述超厚膜材料具有良好的绝缘性、稳定性和机械特性，可以作为绝缘层、保护膜或光学膜，广泛应用于半导体、微波、光电子以及光学器件等领域，有助于微纳器件研究领域的商业化，有着明显的应用前景和潜在的经济效益。

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