半导体集成器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110201310.6
IPC分类号：H01L21/8238;H01L21/762;H01L21/28;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423
申请日期：
2011-07-18
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体集成器件及其制造方法
申请号	CN201110201310.6	申请日期	2011-07-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-23	公开/公告号	CN102891110A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8238 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕 H01L21/78 把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L 21/304）〔2，6〕 H01L21/82 制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路〔2〕 H01L21/822 衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L 21/8258优先）〔6〕 H01L21/8232 场效应工艺〔6〕 H01L21/8234 MIS工艺〔6〕 H01L21/8238 互补场效应晶体管，例如CMOS〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;9;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	洪中山
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

一种半导体集成器件及其制造方法，其中半导体集成器件包括：衬底；覆盖所述衬底的介质层；位于所述介质层内的第一开口和第二开口；位于第一区域内有源区表面的金属栅极结构，所述金属栅极结构包括：位于第一开口底部和侧壁的高k栅介质层，位于高k栅介质层表面并填充所述第一开口的金属栅电极；位于第二区域内STI区表面的电容，所述电容包括：位于所述第二区域内STI区表面的所述多晶硅层，位于所述第二开口底部和侧壁的高k电容介质层，位于高k电容介质层表面并填充所述第二开口的金属电容电极。本发明的制造方法工艺步骤简单，本发明的半导体集成器件集成度高。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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