FET型传感器

发明专利有效专利

申请号：
CN02822539.2
IPC分类号：G01N27/414
申请日期：
2002-11-11
申请人：
株式会社Bio－X;泽田和明

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法律信息

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著录项信息

专利名称	FET型传感器
申请号	CN02822539.2	申请日期	2002-11-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-02-23	公开/公告号	CN1585896
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/414 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/26 通过测试电化学变量；用电解或电泳法〔5〕 G01N27/403 电池和电极组件〔5〕 G01N27/414 对离子敏感的场效应晶体管或化学场效应晶体管，即ISFETS或CHEMFETS〔5〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;4;1;4查看分类表>
申请人	株式会社Bio－X;泽田和明	申请人地址	日本国京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社Bio－X,泽田和明	当前权利人	株式会社Bio－X,泽田和明
发明人	泽田和明;内山正克
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	张立岩

摘要

本发明的FET型传感器包括：在半导体基板(1)的表面，形成与基板反极性的扩散区域组成的输入二极管部(2)、固定在输入二极管部与浮游扩散部之间的绝缘膜(5)上的输入栅极(6)和输出栅极(7)、固定在其输入/输出栅极间的绝缘膜上的离子感应膜所组成的传感部(9)、固定在连接浮游扩散部另一侧位置的绝缘膜上的复位栅极(8)、形成在复位栅极的浮游扩散部另一侧的、由与基板反极性扩散区域组成的复位二极管部(4)；此FET型传感器检测：根据对应于作用在传感部的离子浓度而相应变化的势井深度和汲出次数的、浮游扩散部所积累的电荷量；利用此FET型传感器来进行离子浓度和碱基序列的检测。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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