一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010788768.5
IPC分类号：H01L49/02
申请日期：
2020-08-07
申请人：
福建省晋华集成电路有限公司

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著录项信息

专利名称	一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法
申请号	CN202010788768.5	申请日期	2020-08-07
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-27	公开/公告号	CN111834529A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L49/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L49/00 不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L49/02 薄膜或厚膜器件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;9;/;0;2查看分类表>
申请人	福建省晋华集成电路有限公司	申请人地址	福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	福建省晋华集成电路有限公司	当前权利人	福建省晋华集成电路有限公司
发明人	蔡佩庭;邢庸宇;詹益旺;刘安淇;蔡东益
代理机构	北京聿宏知识产权代理有限公司	代理人	吴大建;陈敏

摘要

本申请公开了一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法，通过在柱状结构的下电极外侧壁设置支撑结构，支撑结构包括支撑下电极上部区域的顶部支撑结构，该顶部支撑结构至少包括第一支撑层以及与第一支撑层材料不同的第二支撑层，第一支撑层的下表面被设置为与第二支撑层的上表面接触，并且第一支撑层与第二支撑层的接触界面低于下电极的顶部，第一支撑层的上表面高于下电极的顶部；再形成有覆盖下电极与支撑结构的电容介电层以及覆盖电容介电层的上电极，可以在满足下电极在垂直方向上延伸的高度的同时，降低漏电率，以及避免在对下电极的顶部支撑结构进行图案化的过程中，需保留位置处的支撑结构受到破坏，能够有效提高下电极的稳定性和电容结构的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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