含亚乙氧基化合物的钙钛矿发光二极管及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810057992.X
IPC分类号：H01L51/54;H01L51/56
申请日期：
2018-01-22
申请人：
苏州大学

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专利名称	含亚乙氧基化合物的钙钛矿发光二极管及其制备方法
申请号	CN201810057992.X	申请日期	2018-01-22
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-07-13	公开/公告号	CN108281572A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/54 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/54 材料选择〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;4;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	苏州大学	申请人地址	江苏省苏州市吴中区吴中大道1188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州大学	当前权利人	苏州大学
发明人	孙宝全;宋涛;班沐阳
代理机构	苏州市中南伟业知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	冯瑞;杨慧林

摘要

本发明涉及一种含亚乙氧基化合物的钙钛矿发光二极管，包括衬底、空穴传输层、活性发光层、电子传输层、电极修饰层和电极，活性发光层的厚度为5‑100nm，活性发光层包括钙钛矿以及掺杂于其中的含亚乙氧基化合物；钙钛矿的分子式为MAPbX3、FAPbX3或CsPbX3，其中，X为Cl、Br和I中的一种或两种；含亚乙氧基化合物为12‑冠醚‑4、15‑冠醚‑5、苯并‑15‑冠醚‑5、18‑冠醚‑6等。本发明还提供了其制备方法：在衬底上形成空穴传输层或电子传输层；在空穴传输层或电子传输层上修饰含亚乙氧基化合物的钙钛矿前驱体溶液，形成活性发光层；在活性发光层上方依次形成电子传输层、阴极修饰层和阴极或在活性发光层上方依次形成空穴传输层、阳极修饰层和阳极；封装。

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