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光图案曝光方法,光掩模及光掩模坯料

发明专利有效专利

申请号：
CN201210599017.4
IPC分类号：G03F7/20;G03F1/32;G03F1/72
申请日期：
2012-11-21
申请人：
信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	光图案曝光方法,光掩模及光掩模坯料
申请号	CN201210599017.4	申请日期	2012-11-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-05	公开/公告号	CN103135362A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/20 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕 G03F7/20 曝光及其设备（复制用照相印制设备入G03B 27/00）〔4〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;2;0;;;G;0;3;F;1;/;3;2;;;G;0;3;F;1;/;7;2查看分类表>
申请人	信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	信越化学工业株式会社,凸版印刷株式会社	当前权利人	信越化学工业株式会社,凸版印刷株式会社
发明人	吉川博树;稻月判臣;小板桥龙二;金子英雄;小岛洋介;原口崇;广濑智一
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	李跃龙

摘要

本发明涉及一种光图案曝光方法，光掩模及光掩模坯料。光图案曝光方法是通过光掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。光掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的光学膜的图案，过渡金属、硅、氮和氧的含量在特定范围内。光掩模可被ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射过。

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