一种具有高结构稳定性的铜硒基热电材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110047514.2
IPC分类号：H01L35/16;H01L35/34;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2021-01-14
申请人：
电子科技大学

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著录项信息

专利名称	一种具有高结构稳定性的铜硒基热电材料及其制备方法
申请号	CN202110047514.2	申请日期	2021-01-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-01	公开/公告号	CN112885948A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L35/16 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L35/00 包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件（由一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L35/12 结点引出线材料的选择〔2〕 H01L35/14 应用无机合成物的〔2〕 H01L35/16 包含有碲或硒或硫的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;5;/;1;6;;;H;0;1;L;3;5;/;3;4;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	王超;杨铖铖;牛夷;宋杰;黄沛;姜晶
代理机构	电子科技大学专利中心	代理人	陈一鑫

摘要

本发明涉及一种具有高结构稳定性的铜硒基热电材料及其制备方法，属于热电材料研究领域，该热电材料化学式为LiyCu1.85‑xBixSe，其中x为[0.02,0.05]，y为[0.01,0.03]；本发明仅通过改变铜(Cu)空位，得到具有稳定的立方相结构的Cu1.85Se基热电材料。在此基础上，通过锂(Li)填充铜(Cu)空位，铋(Bi)掺杂来调节材料的热电参数，获得了热电性能大幅度提高的LiyCu1.85‑xBixSe热电材料，比纯相Cu1.85Se基热电材料至少提高了3倍，且并不改变样品的结构转变特征。本发明对于铜族硫化物基热电材料抑制相变，在实际应用中具有非常重要的促进意义。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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