加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种Sr+Sb共掺杂TiO<sub>2</sub>基巨介电陶瓷、制备方法及其应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202210693084.6
  • IPC分类号:C04B35/46;H01G4/12;C04B35/622;C04B35/49
  • 申请日期:
    2022-06-17
  • 申请人:
    安徽工程大学;安徽工业大学;中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
著录项信息
专利名称一种Sr+Sb共掺杂TiO<sub>2</sub>基巨介电陶瓷、制备方法及其应用
申请号CN202210693084.6申请日期2022-06-17
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2022-09-23公开/公告号CN115093215A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/46IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;6;;;H;0;1;G;4;/;1;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;4;9查看分类表>
申请人安徽工程大学;安徽工业大学;中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司申请人地址
安徽省芜湖市北京中路 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人安徽工程大学,安徽工业大学,中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司当前权利人安徽工程大学,安徽工业大学,中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
发明人徐东;王震涛;熊海琴;左如忠;刘娟;李家茂;孙华为;钟素娟
代理机构合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙)代理人王林
摘要
本发明涉及陶瓷制备技术领域,具体涉及一种Sr+Sb共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用,采用传统的固相反应法制备了(Sr,Sb)共掺杂(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷,其中x=0、0.5%、1%、1.5%、2%、4%,研究组分对(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷微观形貌和介电性能的影响。结果表明,掺杂量对(Sr1/3Sb2/3)xTi1‑xO2陶瓷的微观结构和性能有显著影响,Sr和Sb的掺入显著改善了材料的介电性能,在室温下,当x=2%,频率范围为20Hz‑10MHz时,(Sr,Sb)共掺杂TiO2陶瓷的介电常数大于104,介电损耗小于0.15,而在1kHz时,介电损耗低至0.03,所以本发明有效解决了如何开发具有高介电常数、低介电损耗、稳定温度和频率的介电材料的问题。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供