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平板探测基板及平板探测器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920220380.8
IPC分类号：H01L31/108;H01L31/18
申请日期：
2019-02-21
申请人：
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	平板探测基板及平板探测器
申请号	CN201920220380.8	申请日期	2019-02-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/108 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/108 为肖特基型势垒的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司,北京京东方技术开发有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司,北京京东方技术开发有限公司
发明人	梁魁;刘晓惠;孟虎;刘大力;段立业;林家强
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	柴亮;张天舒

摘要

本实用新型提供一种平板探测基板及平板探测器，属于探测器技术领域。本实用新型的平板探测基板，包括：基底，位于所述基底上的多个检测单元；每个所述检测单元包括：偏压电极和感应电极；所述平板探测基板还包括：覆盖在所述偏压电极和所述感应电极之上的半导体层；且所述半导体层的厚度大于100nm。

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