研磨垫及其制造方法和研磨垫用缓冲层

发明专利有效专利

申请号：
CN200510054378.0
IPC分类号：--
申请日期：
2001-11-28
申请人：
东洋橡膠工业株式会社

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著录项信息

专利名称	研磨垫及其制造方法和研磨垫用缓冲层
申请号	CN200510054378.0	申请日期	2001-11-28
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2005-09-21	公开/公告号	CN1669739
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	东洋橡膠工业株式会社	申请人地址	美国特拉华州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司	当前权利人	罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
发明人	小野浩一;下村哲生;中森雅彦;山田孝敏;驹井茂;堤正幸
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	朱丹

摘要

一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

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