单片单晶硅微机械加工的电容式压力传感器

发明专利无效专利

申请号：
CN200510092880.0
IPC分类号：G01L9/12;G01L1/14
申请日期：
2005-08-25
申请人：
李韫言

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专利名称	单片单晶硅微机械加工的电容式压力传感器
申请号	CN200510092880.0	申请日期	2005-08-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-02-28	公开/公告号	CN1920508
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01L9/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01L 测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力（称量入G01G）〔4〕 G01L9/00 用电或磁的压敏元件测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力；用电或磁的方法传递或指示机械压敏元件的位移，该机械压敏元件是用来测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力的（测量两个或多个压力差值的入G01L 13/00；同时测量两个或多个压力值的入G01L 15/00） G01L9/12 利用电容量变化的	IPC分类号	G;0;1;L;9;/;1;2;;;G;0;1;L;1;/;1;4查看分类表>
申请人	李韫言	申请人地址	北京市海淀区志新村23号楼1810室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	李韫言	当前权利人	李韫言
发明人	涂相征;李韫言
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种微机械加工的电容式压力传感器，其结构主要包括：单晶硅衬底；处于单晶硅衬底表面，起电容器弹性电极作用的外延单晶硅层；处于单晶硅衬底边缘表面的外延单晶硅框架；覆盖外延单晶硅框架表面的介质薄膜；由外延单晶硅框架支持，起电容器固定电极作用的外延单晶硅层；由外延单晶硅框架所围绕，处于两外延单晶硅层之间的空洞夹层。传感器的制造采用多孔硅选择性形成，多孔硅上外延生长，以及多孔硅选择性腐蚀等技术。由于器件为全单晶硅结构，器件性能可以得到很大改进，制造成本也能大幅度降低。

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