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具有低温度系数的超微功耗参考源电路

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610116633.4
  • IPC分类号:G05F3/30
  • 申请日期:
    2006-09-28
  • 申请人:
    华润矽威科技(上海)有限公司
著录项信息
专利名称具有低温度系数的超微功耗参考源电路
申请号CN200610116633.4申请日期2006-09-28
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2008-04-02公开/公告号CN101154116
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05F3/30
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IPC分类号G;0;5;F;3;/;3;0查看分类表>
申请人华润矽威科技(上海)有限公司申请人地址
江苏省无锡市无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-6 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华润矽威科技(上海)有限公司,华润微集成电路(无锡)有限公司当前权利人华润矽威科技(上海)有限公司,华润微集成电路(无锡)有限公司
发明人刘晨;刘家洲;施挺;侯彬;王磊
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人陈亮
摘要
本发明公开了一种具有低温度系数的超微功耗参考源电路,保证不同工艺偏差下参考源温度特性的一致性。其技术方案为:该电路包括:一耗尽型PMOS元件,栅极和源极共同连接至电源端;一可调有效尺寸的增强型NMOS元件阵列,通过控制阵列中切断器件的开合来调整阵列的有效尺寸,该阵列的栅极端和源极端之间的输出电压作为该电压参考源;一电阻,并联在该阵列的栅极端和源极端;一相位补偿器,并联在该阵列的漏极端和源极端;一NMOS管放大元件,栅极与该阵列的漏极端连接,源极接地;一电流镜,输入端连接该NMOS管放大元件的漏极,输出端连接至该阵列的栅极端,以流过该电流镜的输出电流作为该电流参考源。本发明应用于集成电路领域。

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