多层片状压电陶瓷自耦合式降压变压器及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410018444.4
IPC分类号：H01L41/107;H01L41/083
申请日期：
2004-05-19
申请人：
中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利名称	多层片状压电陶瓷自耦合式降压变压器及其制作方法
申请号	CN200410018444.4	申请日期	2004-05-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-11-23	公开/公告号	CN1700485
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L41/107 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L41/00 一般压电器件；一般电致伸缩器件；一般磁致伸缩器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备；这些器件的零部件（由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L41/08 压电器件或电致伸缩器件〔2〕 H01L41/107 带有电输入与电输出的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;1;/;1;0;7;;;H;0;1;L;4;1;/;0;8;3查看分类表>
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所	申请人地址	上海市定西路1295号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所	当前权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人	李国荣;殷庆瑞;张望重;郑嘹赢
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	潘振甦

摘要

一种多层片状压电陶瓷自耦合式降压变压器及其制作方法，其特征在于：多层片状自耦合式压电陶瓷降压变压器是由作为电压输入的二组多层压电陶瓷1和夹在这二组多层陶瓷之间作为输出端的一组多层压电陶瓷2组成变压器的。其中变压器的多层压电陶瓷采用轧膜和流延方法经多层共烧结制。该变压器具有体积小、输入和输出端不共地连接、结构设计灵活的特点。其降压比可调，最大可达0.16，功率转换效率高达98%，有望可广泛应用于新一代的移动通讯、手机等电子产品中。

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