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引入聚焦阴极的低磁场Ka波段同轴渡越时间振荡器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110781594.4
  • IPC分类号:H01J23/04;H01J25/10
  • 申请日期:
    2021-07-08
  • 申请人:
    中国人民解放军国防科技大学
著录项信息
专利名称引入聚焦阴极的低磁场Ka波段同轴渡越时间振荡器
申请号CN202110781594.4申请日期2021-07-08
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-10-22公开/公告号CN113539766A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J23/04IPC分类号H;0;1;J;2;3;/;0;4;;;H;0;1;J;2;5;/;1;0查看分类表>
申请人中国人民解放军国防科技大学申请人地址
湖南省长沙市开福区德雅路109号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国人民解放军国防科技大学当前权利人中国人民解放军国防科技大学
发明人宋莉莉;高兴富;贺军涛;张昊冉;令钧溥;王蕾;李佳
代理机构湖南企企卫知识产权代理有限公司代理人任合明
摘要
本发明涉及高功率技术领域的微波源器件,尤其是一种引入聚焦阴极的低磁场Ka波段同轴渡越时间振荡器,属于高功率微波技术领域,包括阴极座、阴极内屏蔽环、阴极外屏蔽环、阴极、内导体、外导体,整个结构关于中心轴线OO’旋转对称。所述同轴渡越时间振荡器一端连接脉冲功率源,另一端连接辐射系统;采用本发明可达到以下技术效果:本发明可实现微波源在低导引磁场下仍具有较高的功率效率,具有可采用永磁封装的潜能。

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