具有改良形成端子构造的晶片元件

实用新型专利无效专利

申请号：
CN99244908.1
IPC分类号：--
申请日期：
1999-09-21
申请人：
青业电子工业股份有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有改良形成端子构造的晶片元件
申请号	CN99244908.1	申请日期	1999-09-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	青业电子工业股份有限公司	申请人地址	台湾省桃园县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	青业电子工业股份有限公司	当前权利人	青业电子工业股份有限公司
发明人	王弘光
代理机构	北京三友专利代理有限责任公司	代理人	李强

摘要

一种具有改良形成端子构造的晶片元件,是在本体两端头各形成有镀层端子,此镀层端子具有一包覆镀着于本体端头五面的内保护镀层,与包覆镀着于内保护镀层外部的外锡铅合金镀着层;上述内保护镀层及外锡铅合金镀着层是以真空溅镀方式依序镀着于晶片元件本体全表面外部,再经对中央部位蚀刻清除内保护镀层及外锡铅合金镀着层,以形成矩形体中央绝缘部及相互对称与平行的镀层端子;具有较佳连着结合强度、厚度均匀、边线平齐、提高接触效果及品质稳定持久、不易氧化的功效。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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