半导体电阻元件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200310108123.9
IPC分类号：H01C7/00;H01L21/00
申请日期：
2003-10-24
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体电阻元件及其制造方法
申请号	CN200310108123.9	申请日期	2003-10-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-04-27	公开/公告号	CN1610015
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01C7/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01C 电阻器 H01C7/00 用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器（由疏松的粉末材料或颗粒材料组成的入H01C 8/00；有电位跃变势垒或表面势垒的电阻器，如场效应电阻器入H01L 29/00；对电磁辐射或微粒子辐射敏感的半导体器件，如光敏电阻器入H01L 31/00；磁场控制电阻器入H01L 43/08体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;C;7;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海宏力半导体制造有限公司
发明人	高荣正
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	余明伟

摘要

本发明提供一种半导体电阻元件及其制造方法。当多晶硅作为电阻元件时，其两侧形成金属硅化物具有接触垫用于与外部导线连接。然而如电阻元件为高电阻系数时，金属硅化物与其阻障氧化层之间会产生界面电阻，其会因电压及温度变化，造成电阻值不稳定。本发明则提供将一高浓度的离子注入于多晶硅电阻元件的两端，且此高浓度离子注入步骤是在金属硅化物形成之前进行的；这样电阻元件的两侧在金属硅化物下方的多晶硅的电阻系数较低，以大大降低此界面电阻，使电阻元件受电压和温度的变化可大为减小。

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