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半导体封装体的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810175267.9
IPC分类号：H01L21/50;H01L21/60;H01L27/148;B81C1/00
申请日期：
2008-11-10
申请人：
株式会社藤仓

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体封装体的制造方法
申请号	CN200810175267.9	申请日期	2008-11-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-05-20	公开/公告号	CN101436555
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;8;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	株式会社藤仓	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社藤仓	当前权利人	株式会社藤仓
发明人	三谷尚吾
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	雒运朴;李伟

摘要

本发明提供一种半导体封装体的制造方法，它具有以下工序：对第一基板的至少一部分照射激光而形成第一改性部的工序(A)；将上述第一基板和设有功能元件的第二基板贴合起来的工序(B)；通过蚀刻去除设于上述第一基板上的上述第一改性部的工序(C)；对上述第一改性部被去除的部分填充导电体，在上述第一基板上形成导电部的工序(D)。

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