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有机发光二极管阵列的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310724757.0
  • IPC分类号:H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
  • 申请日期:
    2013-12-25
  • 申请人:
    清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
著录项信息
专利名称有机发光二极管阵列的制备方法
申请号CN201310724757.0申请日期2013-12-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-07-01公开/公告号CN104752458A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/32IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;3;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司申请人地址
北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司当前权利人清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
发明人简良能;郑荣安;安东;朱振东;林昌廷;吴逸蔚;李群庆;范守善
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种有机发光二极管阵列的制备方法,其包括提供一基板;在上述基板一表面形成有序排列且不同高度的多个凸部;在多个凸部的表面形成多个第一电极,且多个第一电极相互间隔设置;在每个第一电极的表面形成一电洞注入层和一电洞传输层,且所述电洞注入层位于所述第一电极和电洞传输层之间;在该相邻的三个电洞传输层表面分别形成一电激发光层作为有机发光层,其中,该相邻的三个电洞传输层表面的电激发光层分别为发不同颜色光的电激发光层;形成一图案化的第二绝缘层,且该图案化的第二绝缘层将位于相邻的凸部之间的基板表面覆盖,且使该有机发光层至少顶面暴露;以及形成至少一第二电极与该有机发光层电连接。

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