一种MEMS微桥结构的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010022430.5
IPC分类号：B81C1/00
申请日期：
2010-01-05
申请人：
上海集成电路研发中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种MEMS微桥结构的制备方法
申请号	CN201010022430.5	申请日期	2010-01-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-07-21	公开/公告号	CN101780944A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	上海集成电路研发中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司	申请人地址	上海市张江高斯路497号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海集成电路研发中心有限公司,浙江大立科技股份有限公司	当前权利人	上海集成电路研发中心有限公司,浙江大立科技股份有限公司
发明人	康晓旭;姜利军;蒋宾;赵宇航;池积光;钱良山;庞惠民
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	王洁

摘要

本发明提供了一种MEMS微桥结构的制备方法，包括以下步骤：a.在衬底的表面区域制作反射层；b.在反射层的表面区域制作牺牲层，并在牺牲层上刻蚀出支撑孔；c.在牺牲层的表面区域依次制作支撑层、敏感层和介质层；d.实现支撑孔内和桥面区域的图形化，形成接触孔；e.接着在介质层表面区域沉积金属电极层和金属铜，并对铜金属进行平坦化，止于介质层；f.除去牺牲层，释放形成最后的微桥结构。该制备方法利用铜柱取代传统的铝柱，利用铜化学机械抛光的方法实现金属电极的自对准图形化，不但实现微桥结构的平坦化，而且该方法有效地降低连线电阻，同时也降低工艺复杂性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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