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一种IGBT硅片背面退火方法及激光退火系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610378219.4
  • IPC分类号:H01L21/324;H01L29/739;H01L21/67
  • 申请日期:
    2016-05-31
  • 申请人:
    上海微电子装备(集团)股份有限公司
著录项信息
专利名称一种IGBT硅片背面退火方法及激光退火系统
申请号CN201610378219.4申请日期2016-05-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-12-08公开/公告号CN107452619A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/324IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人上海微电子装备(集团)股份有限公司申请人地址
上海市浦东新区张东路1525号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海微电子装备(集团)股份有限公司当前权利人上海微电子装备(集团)股份有限公司
发明人周炯
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅;李时云
摘要
本发明提出一种IGBT硅片背面退火方法及激光退火系统,该方法包括下列步骤:完成IGBT硅片的正面工艺;对所述硅片背面进行减薄工艺,将其研磨至所需厚度;对所述硅片进行离子注入;对所述硅片背面进行退火处理;对所述硅片背面进行金属化处理。本发明提出的IGBT硅片背面退火方法及激光退火系统,适应IGBT背面退火工艺研发节点,推出不同激光器组合加预热功能,用以满足特定IGBT背面多层次退火工艺需求,提供了一套激光退火系统化解决方案,替代高功率准分子激光器退火和质子辐照+低温炉管退火工艺,实现不同结深客户定制化需求。

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