应用于相变记忆体的方法

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专利名称	应用于相变记忆体的方法
申请号	CN202110112159.2	申请日期	2021-01-27
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-29	公开/公告号	CN113053436A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C13/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C13/00 特征在于使用不包括在G11C 11/00，G11C 23/00或G11C 25/00各组内的存储元件的数字存储器	IPC分类号	G;1;1;C;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	吴昭谊
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	徐金国

摘要

本揭露提供一种应用于相变记忆体的方法，即提供一种处理序来修整PCRAM细胞以具有一致的程序化曲线。PCRAM细胞的初始程序化曲线经量测。一目标程序化曲线对于这些PCRAM细胞经设立。每一PCRAM细胞接着经分别地调变以满足该目标程序化曲线。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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