一种用于导模法生长氧化镓单晶的导模板

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201820300241.1
IPC分类号：C30B15/34;C30B29/16
申请日期：
2018-03-05
申请人：
张先海

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专利名称	一种用于导模法生长氧化镓单晶的导模板
申请号	CN201820300241.1	申请日期	2018-03-05
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/34 使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;3;4;;;C;3;0;B;2;9;/;1;6查看分类表>
申请人	张先海	申请人地址	北京市顺义区顺强路1号1幢1层102室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京铭镓半导体有限公司	当前权利人	北京铭镓半导体有限公司
发明人	张先海
代理机构	北京永创新实专利事务所	代理人	祗志洁

摘要

本实用新型提供了一种用于导模法生长氧化镓单晶的导模板，属于氧化稼单晶生长技术领域。本实用新型的导模板包括第一侧板和第二侧板，每个侧板的上端面到该侧板内平面之间通过弧面光滑过渡连接；两个侧板的两个弧面镜面对称形成钝角开口的V型弧面槽。本实用新型还优选设置导模板的出料口到导模板上口的垂直距离与单个侧板的厚度之比在0.3～0.9范围内。本实用新型的设计改善了导模板局部温度，有利于熔体通过自身表面张力向上爬升并在模具口形成较为理想的固‑液界面；同时有利于晶体拉制，改善单晶的表面粗糙度，降低了后期加工难度，节约了成本。

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