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多晶硅薄膜及栅极的形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810041809.3
  • IPC分类号:H01L21/205;H01L21/28
  • 申请日期:
    2008-08-15
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称多晶硅薄膜及栅极的形成方法
申请号CN200810041809.3申请日期2008-08-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-02-17公开/公告号CN101651094
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/205IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人涂火金;范建国;刘培芳;蔡丹华;王海峰
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人董立闽;李丽
摘要
本发明公开了一种多晶硅薄膜的形成方法,包括步骤:提供衬底;将所述衬底放入沉积室内;根据预定的多晶硅薄膜的电阻调节值确定反应气体通入时的流量上升时间;按照所述流量上升时间向所述沉积室内通入反应气体,在所述衬底上沉积多晶硅薄膜;取出所述衬底。本发明的多晶硅薄膜的形成方法可以方便、灵活地实现对多晶硅薄膜电阻值的微调。本发明还对应公开了一种栅极的形成方法,其可以实现对多晶硅栅极电阻值的微调,有效地提高了器件的成品率。

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