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调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110087697.7
  • IPC分类号:H01L21/285;H01L21/28;H01L21/336
  • 申请日期:
    2011-04-08
  • 申请人:
    南京大学
著录项信息
专利名称调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法
申请号CN201110087697.7申请日期2011-04-08
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-09-21公开/公告号CN102194685A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/285IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人南京大学申请人地址
江苏省南京市汉口路22号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京大学当前权利人南京大学
发明人李学飞;李爱东;付盈盈;刘晓杰;李辉;吴迪
代理机构江苏圣典律师事务所代理人贺翔
摘要
本发明公开了一种调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法,首先对锗衬底进行清洗,吹干。接着放入ALD反应室中,沉积以Al2O3为开始层,交替Al2O3和TiO2的沉积循环,且最终沉积的薄膜中Al/Ti的摩尔比率为Al:Ti=1:1.2-4.5;将沉积薄膜后的锗衬底进行退火,即得到成品。本方法中,当Al/Ti的摩尔比率减小时,积累态电容增大;漏电流上升。而且,随着Al/Ti比率增大,Al2O3/TiO2在Ge上的价带和导带补偿以及带隙都会同时增大。这些结果说明:ALDAl2O3/TiO2纳米叠层结构能够有效地调节栅介质与Ge之间的界面质量和能带结构,从而改善MOS器件的工作性能。表明此方法在Ge基MOSFET制备中具有重要的应用前景。

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