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一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010356900.5
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/203;H01L21/3205;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/24
申请日期：
2020-04-29
申请人：
苏州美法光电科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法
申请号	CN202010356900.5	申请日期	2020-04-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-01	公开/公告号	CN111613520A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;0;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;2;4查看分类表>
申请人	苏州美法光电科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市吴中区越溪吴中大道2288号7幢B3栋102 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州美法光电科技有限公司	当前权利人	苏州美法光电科技有限公司
发明人	陈琳
代理机构	苏州翔远专利代理事务所（普通合伙）	代理人	刘计成

摘要

本发明设计的一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法，通过干氧氧化的方式在硅衬底上形成一层致密的氧化层；再对形成的氧化层表面进行清洁和处理，为金属镀层做准备；最后在致密的氧化层表面通过蒸镀的方式镀金属氧化薄膜；解决了传统方式在硅衬底上直接做金属薄膜，出现的金属层缺失，脱落等不良情况。

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