电子迁移率测试结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200620162628.2
IPC分类号：H01L23/544
申请日期：
2006-12-28
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	电子迁移率测试结构
申请号	CN200620162628.2	申请日期	2006-12-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/544 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/544 加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	北京市经济技术开发区文昌大道18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	宁先捷
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	逯长明

摘要

一种电子迁移率的测试结构，具有第一测试端和第二测试端，所述第一测试端和第二测试端之间包括第一导线、第二导线和第三导线，第一导线和第二导线之间通过第一连接孔相连，第二导线和第三导线之间通过至少两个第二连接孔相连，第一测试端通过第一导线、第一连接孔、第二导线、至少两个第二连接孔和第三导线电连接至第二测试端，其特征在于还包括第四导线和第五导线，第四导线与所述第一导线相连，第五导线与所述第二导线相连。本实用新型的电子迁移率测试结构对单个连接孔增加了单独测试导线，可以在检测包括连接孔和导线的测试结构的电子迁移率时对连接孔单独进行测试。因此，能够准确测量单个连接孔对热应力和电应力的承受能力，准确定位电阻值出现故障的连接孔，而且不影响对整个测试结构的测量结果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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