一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201611175554.0
IPC分类号：C30B29/14;C30B33/00
申请日期：
2016-12-19
申请人：
山东大学

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专利名称	一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法
申请号	CN201611175554.0	申请日期	2016-12-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-31	公开/公告号	CN106757346A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/14 磷酸盐〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;1;4;;;C;3;0;B;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	山东大学	申请人地址	山东省济南市历城区山大南路27号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东大学	当前权利人	山东大学
发明人	李伟东;丁建旭;顾庆天;王圣来;许心光;余波
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司	代理人	杨磊

摘要

本发明涉及了一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法。利用KDP不溶于正己烷和氯仿的特性，以及正己烷密度小于水的密度，水的密度小于氯仿的密度这种物理性质，将残存在晶体表面的水溶液清除掉，保证生长台阶形貌的完整性、准确性，安全有效的保存晶体。有机溶剂在使用前，尽量加热到与生长溶液相似的温度，避免温度差过大造成晶体的开裂。本发明能够完全的避免在去除晶体表面所附着的水溶液时所带来的破坏，不会造成晶体表面残留溶质的再结晶以及表面结构的破坏。可以减少实验测试时寻找完整干净表面带来的工作难度，保证生长台阶形貌的完整性和准确性。

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