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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

扇出型晶圆级封装结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201822031402.4
  • IPC分类号:H01L21/60;H01L21/56
  • 申请日期:
    2018-12-05
  • 申请人:
    长鑫存储技术有限公司
著录项信息
专利名称扇出型晶圆级封装结构
申请号CN201822031402.4申请日期2018-12-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/60IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人长鑫存储技术有限公司申请人地址
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人长鑫存储技术有限公司当前权利人长鑫存储技术有限公司
发明人范增焰;吕开敏;全昌镐
代理机构北京律智知识产权代理有限公司代理人于宝庆;崔香丹
摘要
提供一种扇出型晶圆级封装结构,包括:裸片、预固化层、重布线层、多个球形接脚以及固化层。裸片具有接脚;预固化层覆盖并包覆裸片,并且裸片的接脚一侧暴露出预固化层表面;重布线层形成于所述裸片的接脚暴露出的一侧,重布线层包括钝化层和金属层;多个球形接脚形成于所述重布线层上,球形接脚通过金属层与裸片的接脚电连接;固化层形成于预固化层远离重布线层的一侧,固化层覆盖所述预固化层;固化层与预固化层具有不同的热膨胀系数,固化层与裸片具有相同的热膨胀系数。本实用新型的封装结构通过在预固化层上多加一层固化层,减小了在扇出型晶圆级封装工艺中过程中晶圆的翘曲,减小了后续工艺难度,同时也减小了切割后的封装结构的翘曲。

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