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基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610849768.5
  • IPC分类号:G06N3/063;H03M1/46
  • 申请日期:
    2016-09-26
  • 申请人:
    上海新储集成电路有限公司
著录项信息
专利名称基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法
申请号CN201610849768.5申请日期2016-09-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-02-01公开/公告号CN106372723A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06N3/063IPC分类号G;0;6;N;3;/;0;6;3;;;H;0;3;M;1;/;4;6查看分类表>
申请人上海新储集成电路有限公司申请人地址
上海市金山区亭卫公路6505号2幢8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海新储集成电路有限公司当前权利人上海新储集成电路有限公司
发明人易敬军;陈邦明;王本艳
代理机构上海申新律师事务所代理人俞涤炯
摘要
本发明涉及存储器领域,尤其涉及一种基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法。存储结构包括:衬底;N位模数转换电路,制备于衬底上;存储阵列,制备于N位模数转换电路上,包括至少一个存储单元,存储单元包括至少两个存储列;一存储列预存储有参考电压,另一存储列用于存储转换的M位进制信号的权重,N位模数转换电路利用参考电压得到M位进制信号的权重,通过读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。存储方法包括:利用N位模数转换电路读取存储阵列中预存储的参考电压;N位模数转换电路通过比较参考电压和输入的模拟信号得到M位进制信号的权重;N位模数转换电路读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。

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