激光辅助晶化Ge/Si衬底GaAs单结太阳能电池及其制备工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN201611259616.6
IPC分类号：H01L31/18;H01L21/02;H01L31/0693
申请日期：
2016-12-30
申请人：
西安科锐盛创新科技有限公司

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专利名称	激光辅助晶化Ge/Si衬底GaAs单结太阳能电池及其制备工艺
申请号	CN201611259616.6	申请日期	2016-12-30
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-07-10	公开/公告号	CN108269881A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;9;3查看分类表>
申请人	西安科锐盛创新科技有限公司	申请人地址	陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场（B座）第2幢1单元22层12202号房51号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安科锐盛创新科技有限公司	当前权利人	西安科锐盛创新科技有限公司
发明人	尹晓雪
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种激光辅助晶化Ge/Si衬底上GaAs单结太阳能电池制备工艺，所述制备工艺包括：(a)制作Si衬底层；(b)在所述Si衬底层上采用磁控溅射法形成Ge外延层；(c)采用CVD工艺在所述Ge外延层上形成氧化层；(d)采用LRC工艺使所述Ge外延层晶化；(e)刻蚀所述氧化层；(f)在所述Ge外延层上制备GaAs单结电池；(g)依次制备接触层、反射膜和接触电极，最终形成所述GaAs单结太阳能电池。本发明制备的GaAs单结太阳能电池通过采用LRC工艺可有效降低Ge/Si衬底的位错密度，使基于Ge/Si衬底的GaAs单结太阳能电池器件质量提高，光电转化效率提高。

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