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三电平二极管退饱和控制的逆导型IGBT驱动方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910178085.5
  • IPC分类号:H02M1/08
  • 申请日期:
    2019-03-08
  • 申请人:
    湖南大学
著录项信息
专利名称三电平二极管退饱和控制的逆导型IGBT驱动方法
申请号CN201910178085.5申请日期2019-03-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-06-18公开/公告号CN109905015A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02M1/08IPC分类号H;0;2;M;1;/;0;8查看分类表>
申请人湖南大学申请人地址
湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖南大学当前权利人湖南大学
发明人陈燕东;郭健;周乐明;姜捷;刘傲阳;王翔宇;熊昊哲
代理机构长沙正奇专利事务所有限责任公司代理人暂无
摘要
本发明提供了一种三电平二极管退饱和控制的逆导型IGBT驱动方法,先通过高速霍尔传感器电路来检测负载电流,从而判断逆导IGBT的工作模式。然后针对二极管模式,应用FPGA产生‑15,15,0V的三电平控制逻辑,通过设计的驱动电路将三电平控制逻辑转化为栅极电压,来驱动逆导IGBT;针对死区和IGBT模式,采用传统的两电平驱动。本发明判断逆导IGBT工作模式的速度和精度较高,硬件成本低。且本发明能解决二极管导通损耗和动态损耗之间的相互矛盾,更加有效地降低逆导型IGBT的开关损耗,提高驱动的安全性。

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