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磁隧道结以及磁存储器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610339183.9
  • IPC分类号:H01L43/08
  • 申请日期:
    2016-05-19
  • 申请人:
    华为技术有限公司
著录项信息
专利名称磁隧道结以及磁存储器
申请号CN201610339183.9申请日期2016-05-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-10-12公开/公告号CN106025063A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L43/08IPC分类号H;0;1;L;4;3;/;0;8查看分类表>
申请人华为技术有限公司申请人地址
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华为技术有限公司当前权利人华为技术有限公司
发明人张博宇;赵巍胜;廖宇
代理机构广州三环专利商标代理有限公司代理人郝传鑫;熊永强
摘要
本发明实施例公开一种磁隧道结MTJ以及磁存储器,该MTJ从上到下依次包括第一铁磁层、势垒层、第二铁磁层、缓冲层、第三铁磁层和重金属层,其中:第一铁磁层、第二铁磁层和第三铁磁层均包括混合金属材料,势垒层包括金属氧化物材料,缓冲层包括非铁磁材料;第一铁磁层的磁化方向为固定方向,第二铁磁层与第三铁磁层形成铁磁耦合或反铁磁耦合。实施本发明实施例,可以提高磁隧道结中的第三铁磁层的磁化方向的翻转速度,提高MTJ的可靠性,并可以降低写入电流,从而降低功耗。

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