加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

高功率复合脉冲磁控溅射离子注入与沉积方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010213894.4
  • IPC分类号:C23C14/35;C23C14/48
  • 申请日期:
    2010-06-30
  • 申请人:
    哈尔滨工业大学
著录项信息
专利名称高功率复合脉冲磁控溅射离子注入与沉积方法
申请号CN201010213894.4申请日期2010-06-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-09-22公开/公告号CN101838795A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/35IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;4;8查看分类表>
申请人哈尔滨工业大学申请人地址
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人哈尔滨工业大学当前权利人哈尔滨工业大学
发明人田修波;吴忠振;巩春志;杨士勤
代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所代理人张果瑞
摘要
高功率复合脉冲磁控溅射离子注入与沉积方法,属于材料表面处理技术领域,本发明为解决采用通过在工件上施加负高压脉冲的方法存在大颗粒;薄膜沉积效率低的问题。本发明方法包括:一、将工件置于真空室内的样品台上,工件接高压脉冲电源,磁控溅射靶源接磁控溅射电源,二、注入与沉积:待真空室内的真空度小于10-2Pa时,通入工作气体至0.01~10Pa,开启高压脉冲电源,并调节高压脉冲电源输出脉冲的电压值为0.5~100kV,脉冲频率为0~1000Hz,脉宽为0~500μs,开启磁控溅射电源,先通过直流起辉预离化,调节所需工艺参数,控制两个电源电压相位差为-1000~1000μs,进行离子注入与沉积。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供