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稳定栅极介电层前藉由扩散栅极介电覆盖层调整复杂晶体管的阈值电压

发明专利有效专利

申请号：
CN201080026437.2
IPC分类号：H01L21/8234;H01L21/3115;H01L21/28;H01L29/51
申请日期：
2010-05-10
申请人：
格罗方德半导体公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	稳定栅极介电层前藉由扩散栅极介电覆盖层调整复杂晶体管的阈值电压
申请号	CN201080026437.2	申请日期	2010-05-10
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-16	公开/公告号	CN102460681A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8234 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕 H01L21/78 把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L 21/304）〔2，6〕 H01L21/82 制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路〔2〕 H01L21/822 衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L 21/8258优先）〔6〕 H01L21/8232 场效应工艺〔6〕 H01L21/8234 MIS工艺〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;5;1查看分类表>
申请人	格罗方德半导体公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	泰斯拉先进科技公司	当前权利人	泰斯拉先进科技公司
发明人	R·卡特;M·特伦切;S·贝耶尔;R·波尔
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟;王锦阳

摘要

为形成复杂栅极电极结构，可提供包括所欲的成分种类的覆盖层(121)，在执行处理以稳定敏感栅极介电材料(110)之前，该所欲的成分种类可扩散进入该栅极介电材料(110)。以此方式，相较传统技术，针对阈值调整成分种类，可基于降低的温度及剂量形成复杂高k栅极电极结构。而且，可针对两种类型的晶体管沉积单一含金属电极材料。

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