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在天线峰值增益降级期间缓解针对高发射输出功率的频谱辐射状况

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201980079279.8
  • IPC分类号:H04W52/20;H04B17/18;H04W52/36;H04B17/12
  • 申请日期:
    2019-11-07
  • 申请人:
    高通股份有限公司
著录项信息
专利名称在天线峰值增益降级期间缓解针对高发射输出功率的频谱辐射状况
申请号CN201980079279.8申请日期2019-11-07
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-23公开/公告号CN113170399A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H04W52/20IPC分类号H;0;4;W;5;2;/;2;0;;;H;0;4;B;1;7;/;1;8;;;H;0;4;W;5;2;/;3;6;;;H;0;4;B;1;7;/;1;2查看分类表>
申请人高通股份有限公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人高通股份有限公司当前权利人高通股份有限公司
发明人M·莫菲迪;A·科斯鲁德;福冈吉郎;A·比卡奇;M·科尔曼;S·琼斯
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人陈炜;亓云
摘要
在本公开的一方面,提供了一种方法、计算机可读介质和装置。该装置可包括存储器以及耦合至该存储器的至少一个处理器。该至少一个处理器可被配置成确定与由通信设备对一个或多个分组的重传相关联的重传率。该至少一个处理器可被配置成确定与该装置的至少一个天线的天线增益相关联的测量。该至少一个处理器可被配置成基于重传率并且基于该测量来调整该装置的发射功率。

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