薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310426516.8
IPC分类号：H01L27/12;H01L23/50;H01L21/84
申请日期：
2013-09-18
申请人：
三星显示有限公司

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专利名称	薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
申请号	CN201310426516.8	申请日期	2013-09-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-05-21	公开/公告号	CN103811499A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4查看分类表>
申请人	三星显示有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星显示有限公司	当前权利人	三星显示有限公司
发明人	朴智荣;丁有光;金湘甲;李俊杰
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	王新华

摘要

本发明提供了薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列面板包括：基板；栅线，每条栅线包括栅极垫；栅绝缘层；数据线和漏电极，每条数据线包括连接到源电极的数据垫；第一钝化层，设置在数据线和漏电极上；第一电场产生电极；第二钝化层，设置在第一电场产生电极上；以及第二电场产生电极。栅绝缘层、第一钝化层和第二钝化层包括暴露部分栅极垫的第一接触孔，第一钝化层和第二钝化层包括暴露部分数据垫的第二接触孔，第一接触孔和第二接触孔中的至少一个具有正锥形结构，该正锥形结构在上侧具有比下侧更宽的区域。

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