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一种形成多层复合式接触孔刻蚀阻挡层的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310505137.8
  • IPC分类号:H01L21/318;H01L21/3105
  • 申请日期:
    2013-10-23
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种形成多层复合式接触孔刻蚀阻挡层的方法
申请号CN201310505137.8申请日期2013-10-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-02-26公开/公告号CN103606519A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/318
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;0;5查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人王奇伟;陈昊瑜;张文广;郑春生;田志
代理机构上海申新律师事务所代理人竺路玲
摘要
本发明公开了一种制备多层复合式接触孔刻蚀阻挡层的方法,包括以下步骤:依次沉积多层第一氮化硅层形成第一阻挡层,并在每次沉积每层氮化硅层后都进行紫外线辐射处理;沉积第二氮化硅层形成第二阻挡层;所述第一阻挡层和第二阻挡层共同构成所述复合结构应力接触孔刻蚀停止层。通过采用两种不同的工艺制备两层氮化硅层共同构成应力接触孔刻蚀停止层,不仅增加了PMOSNBTI的特性,在多晶硅拐角处不容易产生断裂,同时还增大了CT干法刻蚀的窗口,极大改善了生产工艺,提升了器件性能。

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