数据存储装置以及操作该数据存储装置的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710109190.0
IPC分类号：G11C11/16
申请日期：
2007-06-14
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	数据存储装置以及操作该数据存储装置的方法
申请号	CN200710109190.0	申请日期	2007-06-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-04-02	公开/公告号	CN101154436
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/16 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/16 应用磁自旋效应的存储元件的	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;6查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	金庸洙
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	郭鸿禧;韩素云

摘要

提供一种使用磁畴壁运动的数据存储装置以及操作该数据存储装置的方法。所述数据存储装置包括：磁层，具有多个磁畴；写头，设置在磁层的一端部；读头，读取写入磁层的数据；以及电流控制器，连接到写头和读头。操作该数据存储装置的方法包括：使用在磁层的一端部设置的读头读取磁层的所述端部的数据，在所述磁层的另一端部设置写头；将磁层的磁畴壁向所述端部移动与一个磁畴的长度相应的距离；以及使用写头和在写头和读头之间设置的电流控制器将读取的数据写入到磁层的所述另一端部。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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