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一种增加TLCNand闪存使用周期的方法及其系统

发明专利无效专利

申请号：
CN201710123117.2
IPC分类号：G11C29/42;G11C7/00
申请日期：
2017-03-03
申请人：
深圳佰维存储科技股份有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种增加TLCNand闪存使用周期的方法及其系统
申请号	CN201710123117.2	申请日期	2017-03-03
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-30	公开/公告号	CN106910529A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C29/42 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C29/00 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器〔1，8〕 G11C29/04 损坏存储元件的检测或定位〔8〕 G11C29/08 功能测试，例如，在刷新、通电自检〔POST〕或分布型测试期间的测试〔8〕 G11C29/12 用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置〔BIST〕〔8〕 G11C29/38 响应验证装置〔8〕 G11C29/42 用纠错码〔ECC〕或奇偶校验检查〔8〕	IPC分类号	G;1;1;C;2;9;/;4;2;;;G;1;1;C;7;/;0;0查看分类表>
申请人	深圳佰维存储科技股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区桃源街道同富裕工业城4号厂房1楼、2楼、4楼、5楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳佰维存储科技股份有限公司	当前权利人	深圳佰维存储科技股份有限公司
发明人	孙成思;孙日欣;李振华;赖永富;邱家扬;许志全
代理机构	深圳市博锐专利事务所	代理人	张明

摘要

本发明公开了一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法及其系统，方法包括：判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。由于SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式，可以延长TLC Nand闪存的使用寿命，降低数码产品的生产成本。

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