发光装置

发明专利无效专利

申请号：
CN03158666.X
IPC分类号：H01L51/50;H05B33/12;H05B33/04
申请日期：
2003-09-19
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	发光装置
申请号	CN03158666.X	申请日期	2003-09-19
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2004-04-28	公开/公告号	CN1492723
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;5;B;3;3;/;1;2;;;H;0;5;B;3;3;/;0;4查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县厚木市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	山崎舜平;高山彻;鹤自卓也;后藤裕吾
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	马铁良;梁永

摘要

本发明的目的是解决上述使用含有氟树脂的膜(聚四氟乙烯(R))作为元件的保护膜时产生的释放热的问题，以及解决因氟元素引起的金属材料腐蚀的问题。因此，本发明采用在形成元件后形成无机绝缘膜，最后形成含有氟树脂的膜的叠层结构，这样就使含有氟树脂的膜不与元件的金属材料接触而形成，从而达到防止因含有氟树脂的膜中的氟元素引起金属材料腐蚀的目的。无机绝缘膜具有防止含有氟树脂的膜中的氟元素和金属材料起反应的功能(即阻挡性)。而且，该无机绝缘膜采用高导热性的材料形成以便释放元件产生的热。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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